半导体三极管种类分NPN和PNPPN结P电压大于N电压就是正偏举例SS8050NPN和SS8550PNP使用区别SS8050的集电极接电源发射极接地基极接高导通接低不通。Vbe 0.7V导通SS8550的发射极接电源集电极接地基极接低导通接高不通。Vbe-0.7V导通NPN三极管的截止区、放大区、饱和区放大和饱和都属于导通状态以下图共射极电路为例考虑到PNP的Ube和Uce都为负值以下的Ube和Uce都为绝对值放大和饱和含义的由来在VCC不变的情况下Ib从0增大和Ic的关系图如下上图三极管处于饱和区截止区Ube UonUon一般为0.7或者0.3V。Ib 0AIc β*IbUce VCC - R47 * Ic此时Uce VCC放大区Ube UonUbe Uce发射极正偏、集电极反偏。Ib变大Ic β*IbIc变大Ic (VCC - Uce) / R47故Uce开始变小饱和区Ube UonUbe Uce发射极正偏、集电极正偏Uce也就是饱和压降一般在0.3~1V之间。在饱和区Uce和Ic的斜率和接近无穷大电阻接近零可视作短路。Ib变大Ic β*IbUce小到VCE(sat)Ic不由Ib控制Ic (VCC - VCE(sat)) / R47此时的Ic是最大值NPN三极管的集电极接电阻电阻接VCC发射极接地基极电平从低到高导通瞬间根据VCE(sat)计算Ic即Ic的最大值将Ic对照三极管的伏安特性曲线进行调整如果Ic βIbUce右移减小Ic进入放大区。如果Ic βIbUce不用变或略微减小直接进入饱和区。Ic电流受到βIb以及(VCC - VCE(sat)) / R47共同压制。补充如果在Ube Uon的情况下基极导通的情况下VCC从0增大和Ic的关系图如下类似手册上的曲线图一般手册上提供的曲线关系图场效应晶体管种类分N沟道与P沟道每种有分增强型和耗尽型使用时一般都是增强型。NMOS的Vgs大于Vgsth导通适合源极接地耗尽型的NMOS是Vgs大于等于0都导通只有Vgs小于0才截止。PMOS的Vgs小于-Vgsth导通适合源极接VCC耗尽型的PMOS是Vgs小于等于0都导通只有Vgs大于0才截止。灯泡、电机等无源器件一般用NMOS在下方控制芯片等有源器件一般用PMOS在上方控制。MOS管和三极管的区别