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【信息科学与工程学】【制造工程】第六十二篇 芯片封装02 Intel Foveros技术
发布时间:2026/9/28 23:59:03
硬参数符号含义数值范围来源pbump微凸块 pitch36 μm(Meteor Lake),25 μm(Omni),18 μm(roadmap),Direct 10 μm / 10 K/mm²dTSV,hTSVTSV 直径 / 深5–10 μm / 50–100 μmtdieTop die 减薄后厚度50–100 μm(当前),→10 μm(演进)δalignTCB 对准精度2 μm(F2F)hIMCIMC
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